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NAND01GW3B2BZA6E

1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory

Features ■NANDinterface –x8orx16buswidth –Multiplexedaddress/data –Pinoutcompatibilityforalldensities ■Supplyvoltage:1.8V/3V ■Pagesize –x8device:(2048+64spare)bytes –x16device:(1024+32spare)words ■Blocksize –x8device:(128K+4Kspare)bytes –x16

NUMONYX

numonyx

NAND01GW3B2BZA6E

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

NAND01GW3B2BZA6E

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

NUMONYX

numonyx

NAND01GW3B2BZA6E

Package:63-TFBGA;包裝:管件 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

NAND01GW3B2BZA6F

1-Gbit,2112-byte/1056-wordpage,1.8V/3V,singlelevelcellNANDflashmemory

Features ■NANDinterface –x8orx16buswidth –Multiplexedaddress/data –Pinoutcompatibilityforalldensities ■Supplyvoltage:1.8V/3V ■Pagesize –x8device:(2048+64spare)bytes –x16device:(1024+32spare)words ■Blocksize –x8device:(128K+4Kspare)bytes –x16

NUMONYX

numonyx

NAND01GW3B2BZA6F

1-Gbit,2-Gbit,2112-byte/1056-wordpage,1.8V/3V,NANDflashmemory

NUMONYX

numonyx

NAND01GW3B2BZA6F

1Gbit,2Gbit,2112Byte/1056WordPage,1.8V/3V,NANDFlashMemory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

產品屬性

  • 產品編號:

    NAND01GW3B2BZA6E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    閃存

  • 技術:

    閃存 - NAND

  • 存儲容量:

    1Gb(128M x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    30ns

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    63-TFBGA

  • 供應商器件封裝:

    63-VFBGA(9x11)

  • 描述:

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NAND01GW3B2BZA6E供應商 更新時間2025-6-1 10:12:00