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NAND01GW3B2BZA6集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

NAND01GW3B2BZA6
廠商型號

NAND01GW3B2BZA6
參數(shù)屬性

NAND01GW3B2BZA6 封裝/外殼為63-TFBGA；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
功能描述

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
封裝外殼

63-TFBGA
文件大小

631.49 Kbytes
頁面數(shù)量

64 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-29 15:51:00
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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NAND01GW3B2BZA6E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    閃存 - NAND

  • 存儲容量：

    1Gb（128M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    30ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    63-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    63-VFBGA（9x11）

  • 描述：

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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