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IXGT16N170AH1

High Voltage IGBT

Features ?Highblockingvoltage ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on-drivesimplicity ?RuggedNPTstructure ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification ?SONIC-FRDTMfastrecoverycopackdiode ?InternationalstandardpackagesJEDECTO-268andJEDECTO-

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IXYS Corporation

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IXGH16N170AH1

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Features ?Highblockingvoltage ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on-drivesimplicity ?RuggedNPTstructure ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification ?SONIC-FRDTMfastrecoverycopackdiode ?InternationalstandardpackagesJEDECTO-268andJEDECTO-

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IXGR16N170AH1

HighVoltageIGBTwithDiodeElectricallyIsolatedTab

Features ●Electricallyisolatedtab ●Internationalstandardpackageoutline ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●RuggedNPTstructure ●ULrecognized ●MoldingepoxiesmeetUL94V-0 flammabilityclassification ●SONIC-FRDTMfastrecoverycop

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IXGT16N170AH1

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 11 Amps 1700V 5 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IXGT16N170AH1供應(yīng)商 更新時間2025-2-10 15:30:00

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