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IXFQ60N50

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=110mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFQ60N50P3

Polar3 HiperFET Power MOSFET

VDSS=500VID25=60ARDS(on)≤100mΩ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ?FastIntrinsicRectifier ?AvalancheRated ?LowRDS(ON)andQG ?LowPackageInductance Advantages ?HighPowerDensity ?EasytoMount ?

IXYS

IXYS Corporation

60N50TP

LowVSWR

ANARENAnaren Microwave

安倫

60N50TPC

LowVSWR

ANARENAnaren Microwave

安倫

60N50TPR

AlNCeramic

ANARENAnaren Microwave

安倫

IRFPS60N50C

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IXGH60N50

HIGHCURRENTMOSIGBT

ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.

IXYS

IXYS Corporation

RFP-60N50TP

AlNFlangedTerminations

ANARENAnaren Microwave

安倫

RFP-60N50TPC

AlNFlangedTerminations

ANARENAnaren Microwave

安倫

RFP-60N50TPR

AlNFlangedTerminations

ANARENAnaren Microwave

安倫

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IXFQ60N50

  • 功能描述：

    MOSFET 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
18+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190
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IXYS
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TO-3P
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IXYS
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IXYS
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TO-3P
326
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TO3P
10000
公司只做原裝正品
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IXYS
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NA
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IXYS
22+
TO3P3 SC653
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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IXYS
21+
TO3P3 SC653
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
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IXYS/艾賽斯
23+
TO3P
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價
IXYS
2022+
原廠原包裝
6800
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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更多IXFQ60N50供應(yīng)商 更新時間2025-1-1 14:16:00

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