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IXFH36N55Q

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=550V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.16Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFH36N55Q

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt

IXYS

IXYS Corporation

IXFH36N55Q2

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=550V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFH36N55Q2

HiPerFET Power MOSFETs

IXYS

IXYS Corporation

IXFT36N55Q

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,LowQg,Highdv/dt

IXYS

IXYS Corporation

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IXFH36N55Q

  • 功能描述:

    MOSFET 36 Amps 550V 0.16 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
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TO-247AD(IXFH)
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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IXYS/艾賽斯
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IXYS/艾賽斯
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ixys
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TO-247
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一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
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更多IXFH36N55Q供應(yīng)商 更新時間2024-11-2 19:34:00