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IS41LV16100B-50KL	文件：143.69 Kbytes Page：22 Pages	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE DESCRIPTION TheISSIIS41LV16100Bis1,048,576x16-bithigh-performanceCMOSDynamicRandomAccessMemories.ThesedevicesofferanacceleratedcycleaccesscalledEDOPageMode.EDOPageModeallows1,024randomaccesseswithinasinglerowwithaccesscycletimeasshortas20nsper16-bitword	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
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IS41LV16100B-50KLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：42-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS41LV16100B-50KL-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：42-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS41LV16100B-50TI	文件：143.69 Kbytes Page：22 Pages	1Mx16(16-MBIT)DYNAMICRAMWITHEDOPAGEMODE DESCRIPTION TheISSIIS41LV16100Bis1,048,576x16-bithigh-performanceCMOSDynamicRandomAccessMemories.ThesedevicesofferanacceleratedcycleaccesscalledEDOPageMode.EDOPageModeallows1,024randomaccesseswithinasinglerowwithaccesscycletimeasshortas20nsper16-bitword	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IS41LV16100B-50KL
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
卷帶（TR）
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
DRAM
技術(shù)：
DRAM - EDO
存儲容量：
16Mb（1M x 16）
存儲器接口：
并聯(lián)
電壓 - 供電：
3V ~ 3.6V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
42-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：
42-SOJ
描述：
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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