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IS41LV16100B-50KLI集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IS41LV16100B-50KLI
廠商型號

IS41LV16100B-50KLI

參數(shù)屬性

IS41LV16100B-50KLI 封裝/外殼為42-BSOJ(0.400",10.16mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ

功能描述

1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ

文件大小

143.69 Kbytes

頁面數(shù)量

22

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱

ISSI北京矽成

中文名稱

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二

更新時間

2024-10-30 18:48:00

IS41LV16100B-50KLI規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

TheISSIIS41LV16100B is 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word.

FEATURES

? TTL compatible inputs and outputs; tristate I/O

? Refresh Interval:

— Auto refresh Mode: 1,024 cycles /16 ms

— RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden

? JEDEC standard pinout

? Single power supply: 3.3V ± 10

? Byte Write and Byte Read operation via two CAS

? Industrial Temperature Range: -40oC to +85oC

? Lead-free available

IS41LV16100B-50KLI屬于集成電路(IC) > 存儲器。北京矽成半導(dǎo)體有限公司制造生產(chǎn)的IS41LV16100B-50KLI存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IS41LV16100B-50KLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    DRAM - EDO

  • 存儲容量:

    16Mb(1M x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    42-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    42-SOJ

  • 描述:

    IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ

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