首頁>IRGBC40>規(guī)格書詳情

IRGBC40分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGBC40
廠商型號

IRGBC40
參數(shù)屬性

IRGBC40 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT UFAST 600V 40A TO-220AB
功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=25A)
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

237.32 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-25 20:00:00

IRGBC40規(guī)格書詳情

Description

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high-current applications.

These new short circuit rated devices are especially suited for motor control and other applications requiring short circuit withstand capability.

Features

? Short circuit rated - 10μs @ 125°C, V GE = 15V

? Switching-loss rating includes all tail losses

? Optimized for high operating frequency (over 5kHz)

See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRGBC40U

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3V @ 15V，20A

  • 輸入類型：

    標準

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT UFAST 600V 40A TO-220AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
23+
NA/
17138
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
 詢價
IR
24+
TO220
58000
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費!
 詢價
IR
TO220
68900
原包原標簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨!
 詢價
IOR
23+
TO220
4500
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售
 詢價
INTERNATIONALRECTIFIER
24+
35200
一級代理/放心采購
 詢價
IRC
新
40
全新原裝 貨期兩周
 詢價
IR
24+
TO220
23
全新原裝
 詢價
IR
22+
TO
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價
IR
23+
TO
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價
IR
23+
TO
7000
詢價

相關(guān)庫存

更多