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IRGBC30FD2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGBC30FD2
廠商型號

IRGBC30FD2
參數(shù)屬性

IRGBC30FD2 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB
功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=31A)
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

414.44 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-4 15:00:00

IRGBC30FD2規(guī)格書詳情

Description

Co-packaged IGBTs are a natural extension of International Rectifiers well known IGBT line. They provide the convenience of an IGBT and an ultrafast recovery diode in one package, resulting in substantial benefits to a host of high-voltage, high-current, motor control, UPS and power supply applications.

Features

? Switching-loss rating includes all tail losses

? HEXFREDTM soft ultrafast diodes

? Optimized for medium operating frequency (1 to

10kHz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRGBC30FD2

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，17A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon Technologies
2022+
TO-220AB
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
IR/VISHAY
22+
TO-220
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價
Infineon Technologies
23+
原裝
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價
Infineon Technologies
23+
原裝
7000
詢價
IR/VISHAY
23+
TO-220
10000
公司只做原裝正品
 詢價
IR
23+
原廠原裝
6000
全新原裝
 詢價
IR
23+
TO-220
35890
詢價
INTERNATIONALRECTIFIER
24+
35200
一級代理/放心采購
 詢價
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
 詢價
INTERNATIONA
05+
原廠原裝
7246
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價

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