IRGBC30分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IRGBC30 |
| 參數(shù)屬性 | IRGBC30 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=17A) |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
246.65 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-26 23:00:00 |
IRGBC30規(guī)格書詳情
Description
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high-current applications.
Features
? Switching-loss rating includes all tail losses
? Optimized for medium operating frequency ( 1 to
10kHz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IRGBC30FD2
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，17A
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220AB
- 描述：
IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
17138 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
INTERNATIONALRECTIFIER |
24+ |
35200 |
一級代理/放心采購 |
詢價 | |||
IR |
24+ |
TO220 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費! |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-220-3 |
8866 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
TO-220 |
35890 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
TO220 |
8000 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO220 |
7000 |
詢價 | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-220AB |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
3000 |
全新原裝 |
詢價 |
