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IRGBC20U分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGBC20U
廠商型號

IRGBC20U
參數(shù)屬性

IRGBC20U 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT UFAST 600V 13A TO-220AB
功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

253.64 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-26 21:21:00

IRGBC20U規(guī)格書詳情

Description

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high-current applications.

Features

? Switching-loss rating includes all tail losses

? Optimized for high operating frequency (over 5kHz)

See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRGBC20U

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3V @ 15V，6.5A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT UFAST 600V 13A TO-220AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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