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IRGBC30F分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGBC30F
廠商型號(hào)

IRGBC30F

參數(shù)屬性

IRGBC30F 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT FAST 600V 31A TO-220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=17A)

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

246.65 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-4 15:00:00

IRGBC30F規(guī)格書詳情

Description

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high-current applications.

Features

? Switching-loss rating includes all tail losses

? Optimized for medium operating frequency ( 1 to

10kHz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRGBC30F

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,17A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT FAST 600V 31A TO-220AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon Technologies
2022+
TO-220AB
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)
IR/VISHAY
22+
TO-220
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
詢價(jià)
Infineon Technologies
23+
原裝
8000
只做原裝現(xiàn)貨
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Infineon Technologies
23+
原裝
7000
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IR/VISHAY
23+
TO-220
10000
公司只做原裝正品
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23+
原廠原裝
6000
全新原裝
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IR
23+
TO-220
35890
詢價(jià)
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35200
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Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
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05+
原廠原裝
7246
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
詢價(jià)