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IRF9952	文件：134.65 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-30V) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9952PBF	文件：224.24 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9952QPBF	文件：280.44 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description TheseHEXFET?PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetit	IRF International Rectifier	IRF
IRF9952QPBF	文件：269.52 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Description TheseHEXFET?PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetit	IRF International Rectifier	IRF
IRF9952QTRPBF	文件：269.52 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Description TheseHEXFET?PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetit	IRF International Rectifier	IRF
IRF9952TRPBF	文件：229.77 Kbytes Page：10 Pages	Generation V Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9952PBF	文件：229.77 Kbytes Page：10 Pages	ULTRA LOW ON RESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
IRF9952PBF_15	文件：229.77 Kbytes Page：10 Pages	ULTRA LOW ON RESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
IRF9952QPBF_10	文件：269.52 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
KDS9952A	文件：80.33 Kbytes Page：3 Pages	DualN&P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF9952
功能描述：
MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC
RoHS：
否
類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
系列：
HEXFET®
產(chǎn)品目錄繪圖：
8-SOIC Mosfet Package
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1
系列：
- FET
型：
2 個(gè) N 溝道（雙） FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安裝類(lèi)型：
表面貼裝
封裝/外殼：
PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
PowerPAK? SO-8
包裝：
Digi-Reel®
產(chǎn)品目錄頁(yè)面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名稱(chēng)：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市匯萊威科技有限公司	IRF9952	IR	24+	SOP-8	500737	免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRF9952	IR	24+	N/A	8000	全新原裝正品,現(xiàn)貨銷(xiāo)售	詢價(jià)
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更多IRF9952供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-20 16:40:00

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