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IRF1404LPBF	文件：329.6 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea. Features AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance 175°COperatingTemperature	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404LPbF	文件：279.7 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET? Power MOSFET Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessing techniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea. AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance Dynamicdv/dtRating 175°COperatingTemperat	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404LPBF	文件：3.89112 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET? Power MOSFET Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea. AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance Dynamicdv/dtRating 175°COperatingTemperature	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1404LPBF	文件：279.7 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404PBF	文件：201.83 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description SeventhGenerationHEXFETPowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellk	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404PBF	文件：3.45272 Mbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1404PBF	文件：214.2 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404S	文件：329.6 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea. Features AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance 175°COperatingTemperature	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404S	文件：306.92 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=40V,Rds(on)=0.004ohm,Id=162A?? Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessing techniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea. lAdvancedProcessTechnology lUltraLowOn-Resistance lDynamicdv/dtRating l175°COperatingTemp	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404S	文件：1.19651 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleonresistanceinanyexistingsurfacemountpackage. lAdvancedProcessTechnology lUltraLowOn-Resistance lDynam	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1404S	文件：263.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRF1404SPBF	文件：279.7 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessing techniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea. AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance Dynamicdv/dtRating 175°COperatingTemperat	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404SPBF	文件：3.89112 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea. AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance Dynamicdv/dtRating 175°COperatingTemperature	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRF1404STRLPBF	文件：279.7 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessing techniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea. AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance Dynamicdv/dtRating 175°COperatingTemperat	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404Z	文件：329.6 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea. Features AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance 175°COperatingTemperature	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404Z	文件：306.06 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404Z	文件：294.32 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404Z	文件：338.47 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRF1404Z	文件：4.6855 Mbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFETAdvancedProcessTechnology Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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詳細參數(shù)

型號：
IRF1404LPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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