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IRF1405Z	文件：338.82 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRF1405ZL	文件：291.64 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=55V RDS(on)=4.9m? ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemp	IRF International Rectifier	IRF
IRF1405ZLPBF	文件：812.24 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET(VDSS=55V,RDS(on)=4.9m廓,ID=75A) VDSS=55V RDS(on)=4.9m? ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemp	IRF International Rectifier	IRF
IRF1405ZPBF	文件：812.24 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET(VDSS=55V,RDS(on)=4.9m廓,ID=75A) VDSS=55V RDS(on)=4.9m? ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemp	IRF International Rectifier	IRF
IRF1405ZPBF	文件：401.85 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1405ZS	文件：291.64 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=55V RDS(on)=4.9m? ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemp	IRF International Rectifier	IRF
IRF1405ZS	文件：299.72 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRF1405ZSPBF	文件：812.24 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET(VDSS=55V,RDS(on)=4.9m廓,ID=75A) VDSS=55V RDS(on)=4.9m? ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemp	IRF International Rectifier	IRF
IRFBA1405	文件：238.54 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=5.0mohm,Id=174A?? Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisMOSFETarea175oCjunctionoperatingtemperature,fas	IRF International Rectifier	IRF
IRFBA1405P	文件：238.54 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=5.0mohm,Id=174A?? Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisMOSFETarea175oCjunctionoperatingtemperature,fas	IRF International Rectifier	IRF
IRFBA1405PPBF	文件：153.65 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description StripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisMOSFETarea175oCjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedruggednessinsingleand	IRF International Rectifier	IRF
IRFBA1405PPBF	文件：222.31 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFP1405	文件：196.42 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp	IRF International Rectifier	IRF
IRFP1405	文件：334.3 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFP1405PBF	文件：222.97 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFP1405PBF	文件：270.29 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
JUAT1405MPD	文件：643.69 Kbytes Page：1 Pages	RadialLeadType,LowerResistance	nichiconNichicon corporation 尼吉康日本尼吉康株式會社	nichicon
JUAT1405MPD	文件：653.69 Kbytes Page：1 Pages	RadialLeadType,LowerResistance	nichiconNichicon corporation 尼吉康日本尼吉康株式會社	nichicon
KS1405N	文件：97.05 Kbytes Page：1 Pages	7mmAdjustableshieldedIFTCoil(II)	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER

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詳細參數(shù)

型號：
IRF1405STRLPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 55V 131A 5.3mOhm 170nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市品優(yōu)時代科技有限公司	IRF1405STRLPBF	INFINEON/IR	1907+	NA	800	20年老字號,原裝優(yōu)勢長期供貨	詢價
深圳深宇韜電子科技有限公司	IRF1405STRLPBF	INFINEON	22+	sot	6600	正品渠道現(xiàn)貨,終端可提供BOM表配單。	詢價
中天科工半導體（深圳）有限公司	IRF1405STRLPBF	Infineon Technologies	24+	D2PAK	30000	晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
深圳市亞泰盈科電子有限公司	IRF1405STRLPBF	IR		SOT-263	30216	提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	詢價
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深圳市東來寶電子科技有限公司	IRF1405STRLPBF	INFINEON	24+	原封裝	81220	鄭重承諾只做原裝進口現(xiàn)貨	詢價
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更多IRF1405STRLPBF供應商更新時間2025-1-6 19:20:00

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