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IKQ100N60TA	文件：2.28139 Mbytes Page：16 Pages	600V low loss switching series third generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKQ100N60TAXKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包裝：管件類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
RDX100N60	文件：61.73 Kbytes Page：3 Pages	10VDriveNchMOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
RM100N60DF	文件：158.88 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheRM100N60DFusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeature VDS=65V,ID=95A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM100N60DFV	文件：224.17 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheRM100N60DFVusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeature VDS=65V,ID=95A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM100N60HD	文件：493.23 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheRM100N60HDusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeature VDS=60V,ID=100A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM100N60LD	文件：384.16 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheRM100N60LDusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures VDS=65V,ID=100A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
SIHA100N60E	文件：156.1 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
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SIHG100N60E	文件：197.62 Kbytes Page：11 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay

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