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RM100N60DFV中文資料RECTRON數據手冊PDF規(guī)格書

RM100N60DFV
廠商型號

RM100N60DFV

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標識

AN60

封裝外殼

DFN5X6-8L

文件大小

224.17 Kbytes

頁面數量

6

生產廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-15 15:04:00

RM100N60DFV規(guī)格書詳情

Description

The RM100N60DFV uses advanced trench technology and

design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It

can be used in a wide variety of applications.

General Feature

VDS =65V,ID =95A

RDS(ON) < 4.6mΩ @ VGS=10V (Typ:3.8mΩ)

Special process technology for high ESD capability

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized Avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high EAS

Excellent package for good heat dissipation

RDS(ON) < 7mΩ @ VGS=4.5V (Typ:5.6mΩ)

Application

Power switching application

Hard switched and high frequency circuits

Uninterruptible power supply

Halogen-free

P/N suffix V means AEC-Q101 qualified, e.g:RM100N60DFV

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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