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RM100N60LD中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

RM100N60LD
廠商型號(hào)

RM100N60LD

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

100N06

封裝外殼

TO-252-2L

文件大小

384.16 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-28 20:00:00

RM100N60LD規(guī)格書(shū)詳情

Description

The RM100N60LD uses advanced trench technology and

design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It

can be used in a wide variety of applications.

General Features

VDS =65V,ID =100A

RDS(ON) <5.5mΩ @ VGS=10V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high EAS

Excellent package for good heat dissipation

Special process technology for high ESD capability

Application

Load switching

Hard switched and high frequency circuits

Uninterruptible power supply

Halogen-free

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
西班牙
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NA/
5000
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
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全新原裝正品 數(shù)量多可訂貨 一級(jí)代理優(yōu)勢(shì)
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