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H02N60J	文件：74.96 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power Field Effect Transistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficient	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H02N60S	文件：77.67 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficient	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H02N60SE	文件：77.67 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficient	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H02N60SF	文件：77.67 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficient	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H02N60SI	文件：77.67 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficient	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H02N60SJ	文件：77.67 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficient	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
M02N60	文件：169.16 Kbytes Page：5 Pages	NChannelMOSFET FEATURE RobustHighVoltageTemination. AvalancheEnergySpecified Source-toDrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscreteFastRecoveryDiode DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircurits IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature	STANSON Stanson Technology	STANSON
M02N60B	文件：221.2 Kbytes Page：5 Pages	NChannelMOSFET FEATURE RobustHighVoltageTemination. AvalancheEnergySpecified Source-toDrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscreteFastRecoveryDiode DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircurits IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature	STANSON Stanson Technology	STANSON
NDD02N60Z	文件：146.41 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,4.8	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDD02N60Z	文件：299.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDF02N60Z	文件：319.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDF02N60Z	文件：168.55 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,4.0	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDF02N60Z	文件：148.07 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDF02N60Z	文件：146.41 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,4.8	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDF02N60ZG	文件：146.41 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,4.8	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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NDF02N60ZG	文件：1.99553 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
NDF02N60ZG	文件：168.55 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,4.0	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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NDF02N60ZH	文件：148.07 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
H02N60J
制造商：
HSMC
制造商全稱(chēng)：
HSMC
功能描述：
N-Channel Power Field Effect Transistor

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市振宏微科技有限公司	H02N60J	HSMC	23+	NA	1106	專(zhuān)做原裝正品,假一罰百!	詢(xún)價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	H02N60J	華昕	1822+	TO-252	9852	只做原裝正品假一賠十為客戶(hù)做到零風(fēng)險(xiǎn)!!	詢(xún)價(jià)
深圳市賽芯源科技有限公司	H02N60J	華昕	18+	TO-252	41200	原裝正品,現(xiàn)貨特價(jià)	詢(xún)價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	H02N60J	H	23+	TO-252	10000	公司只做原裝正品	詢(xún)價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	H02N60J	HSMC	23+	TO252	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢(xún)價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	H02N60J	H	22+	TO-252	6000	十年配單,只做原裝	詢(xún)價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	H02N60J	H	23+	TO-252	6000	原裝正品，支持實(shí)單	詢(xún)價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	H02N60J	HSMC	07+	TO252	139	一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢(xún)價(jià)
深圳龐田科技有限公司	H02N60J	華析	2023+環(huán)?，F(xiàn)貨	TO-252(D	10	專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務(wù)	詢(xún)價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	H02N60J	H	22+	TO-252	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專(zhuān)注配單	詢(xún)價(jià)

更多H02N60J供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-14 17:00:00

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