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GTRA362002FC-V1-R2

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 200 W, 48 V, 3400 – 3600 MHz

Description TheGTRA362002FCisa200-watt(P3dB)GaNonSiChighelectronmobilitytransistor(HEMT)designedforuseinmulti-standardcellularpower amplifierapplications.Itfeaturesinputmatching,highefficiency,anda thermally-enhancedpackagewithearlessflange. Features ?GaNon

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更多GTRA362002FC-V1-R2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-29 13:30:00

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