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GTRA364002FC-V1-R2

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 400 W, 48 V, 3400 – 3600 MHz

Description TheGTRA364002FCisa400-watt(P3dB)GaNonSiChighelectron mobilitytransistor(HEMT)designedforuseinmulti-standardcellular poweramplifierapplications.Itfeaturesinputmatching,highefficency, andathermally-enhancedpackagewithearlessflange. Features ?GaNon

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更多GTRA364002FC-V1-R2供應商 更新時間2024-11-15 10:53:00

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