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GTRA362802FC-V1-R2

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 280 W, 48 V, 3400 – 3600 MHz

Description TheGTRA362802FCisa280-watt(P3dB)GaNonSiChighelectron mobilitytransistor(HEMT)designedforuseinmulti-standardcellular poweramplifierapplications.Itfeaturesinputmatching,high efficiency,andathermally-enhancedpackagewithearlessflange. Features ?GaNon

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更多GTRA362802FC-V1-R2供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-15 10:53:00