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GTRA412852FC-V1-R2

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 235 W, 48 V, 3700 – 4100 MHz

Description TheGTRA412852FCisa235-watt(P3dB)GaNonSiChighelectron mobilitytransistor(HEMT)foruseinmulti-standardcellularpower amplifierapplications.Itfeaturesinputandoutputmatching,high efficiency,andathermally-enhancedpackagewithearlessflange. Features ?GaN

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更多GTRA412852FC-V1-R2供應(yīng)商 更新時間2024-11-15 10:53:00

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