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CED6036L	文件：587.77 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V,118A,RDS(ON)=4.0mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=5.5mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP6036	文件：427.23 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,135A,RDS(ON)=4.6mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP6036	文件：1.10074 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CEP6036L	文件：695.63 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,144A,RDS(ON)=4.0mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=5.5mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU6036L	文件：587.77 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,118A,RDS(ON)=4.0mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=5.5mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
D6036	文件：165.58 Kbytes Page：2 Pages	SIL2Switch/ProximityRelay-OutRepeater FEATURES SIL2/SC3 Highvoltage/currentratingrelayoutput Fieldopenandshortcircuitdetection In-fieldprogrammabilitybyDIPSwitch Threeportisolation,Input/Output/Supply HighDensity,twochannelsperunit	GMI G.M. International	GMI
D6036D	文件：165.58 Kbytes Page：2 Pages	SIL2Switch/ProximityRelay-OutRepeater FEATURES SIL2/SC3 Highvoltage/currentratingrelayoutput Fieldopenandshortcircuitdetection In-fieldprogrammabilitybyDIPSwitch Threeportisolation,Input/Output/Supply HighDensity,twochannelsperunit	GMI G.M. International	GMI
D6036S	文件：165.58 Kbytes Page：2 Pages	SIL2Switch/ProximityRelay-OutRepeater FEATURES SIL2/SC3 Highvoltage/currentratingrelayoutput Fieldopenandshortcircuitdetection In-fieldprogrammabilitybyDIPSwitch Threeportisolation,Input/Output/Supply HighDensity,twochannelsperunit	GMI G.M. International	GMI
EP6036	文件：90.1 Kbytes Page：1 Pages	DATASUBJECTTOCHANGEWITHOUTNOTLCE	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
EP6036	文件：148.62 Kbytes Page：4 Pages	Armoiremuralepourcoupe-circuitenacierinoxydable316detype4X	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
EP6036	文件：92.69 Kbytes Page：1 Pages	InnerPanelsEPSeries	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
EP6036	文件：144.16 Kbytes Page：4 Pages	Armoiremuralepourcoupe-circuitenacierinoxydabledetype4X	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
EP6036	文件：144.14 Kbytes Page：4 Pages	Armoiremuralepourcoupe-circuitenacierdouxdetype4	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
EP6036	文件：465.33 Kbytes Page：3 Pages	HingeDoorwithQuarterTurn/Handle Application -Designedtoencloseelectricaland/orelectronicequipmentandprotectagainstharsh,industrialenvironmentsforwallmountapplications. -ImpressivestylingfeatureslikehiddenhingesandattractivelatchingsystemsmaketheEclipseasuitableadditiontoanyhigh-techequipmentins	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
EP6036	文件：768.43 Kbytes Page：4 Pages	HingeDoorwithQuarterTurn/Handle Application -Designedtoencloseelectricaland/orelectronicequipmentandprotectagainstharsh,industrialenvironmentsforwallmountapplications. -Impressivestylingfeatureslikehiddenhinges,attractivelatchingsystemsmaketheEclipseasuitableadditiontoanyhigh-techequipmentinstal	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
EPG6036	文件：90.98 Kbytes Page：1 Pages	DATASUBJECTTOCHANGEWITHOUTNOTLCE	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
EPG6036	文件：92.69 Kbytes Page：1 Pages	InnerPanelsEPSeries	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
ESP6036	文件：54.76 Kbytes Page：2 Pages	PanneaupivotantEclipse	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
ESP6036	文件：96.91 Kbytes Page：1 Pages	DATASUBJECTTOCHANGEWITHOUTNOTLCE	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
FDC6036P	文件：163.92 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel1.8VSpecifiedPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisdualP-Channel1.8VspecifiedMOSFETusesFairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess.PackagedinFLMPSSOT-6,theRDS(ON)andthermalpropertiesofthedeviceareoptimizedforbatterypowermanagementapplications. Features ?–5A,–20V.RDS(ON)=44m?@V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

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更多CED6036L供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-26 13:14:00

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