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FDC6036P中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDC6036P
廠商型號

FDC6036P

功能描述

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

文件大小

163.92 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導體

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-29 23:03:00

FDC6036P規(guī)格書詳情

General Description

This dual P-Channel 1.8V specified MOSFET uses Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process. Packaged in FLMP SSOT-6, the RDS(ON) and thermal properties of the device are optimized for battery power management applications.

Features

? –5 A, –20 V. RDS(ON) = 44 m? @ VGS = –4.5 V RDS(ON) = 64 m? @ VGS = –2.5 V RDS(ON) = 95 m? @ VGS = –1.8 V

? Low gate charge, High Power and Current handling capability

? High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

? FLMP SSOT-6 package: Enhanced thermal performance in industry-standard package size

Applications

? Battery management/Charger Application

? Load switch

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FDC6036P

  • 功能描述:

    MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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