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CED6060R	文件：42.08 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
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CEP6060L	文件：516.75 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,50A,RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=25mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP6060L	文件：544.55 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,52.4A,RDS(ON)=21mW@VGS=10V. RDS(ON)=25mW@VGS=5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP6060LR	文件：534.57 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●60V,60A,RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=25mΩ@VGS=5V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandingcapability. ●TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP6060N	文件：426.55 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,42A,RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP6060N	文件：624.91 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,42A,RDS(ON)=25mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP6060R	文件：527.84 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP6060R	文件：81.68 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU6060L	文件：785.85 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,48A,RDS(ON)=24mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=29mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU6060N	文件：425.79 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,34A,RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU6060N	文件：900.27 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
CEU6060N	文件：623.04 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,34A,RDS(ON)=25mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired. TO-251&TO-252package.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU6060R	文件：42.08 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CHM6060RPAPT	文件：201.52 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE60VoltsCURRENT30Ampere FEATURE Smallpackage.(TO-252A) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
DTP6060	文件：1.68086 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
DUR6060W	文件：638.35 Kbytes Page：3 Pages	Ultra-fastswitching	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
EL6060	文件：177.55 Kbytes Page：2 Pages	230VIP20595x59523W/33WCCTAdjustableTrofferPanel DESCRIPTION230VIP20595x59523W/33WCCTAdjustableTrofferPanel	KNIGHTSBRIDGE ML Accessories Limited.	KNIGHTSBRIDGE
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FBR6060	文件：143.47 Kbytes Page：2 Pages	60AmpHighVoltageSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERSMechanicalDimensions Features ■HIGHCURRENTCAPABILITY WITHLOWVF ■HIGHEFFICIENCYw/LOWPOWERLOSS ■HIGHSURGEVOLTAGEAND TRANSIENTPROTECTION ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
CED6060R
制造商：
CET
制造商全稱：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	CED6060R	SR	23+	TO-251	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	CED6060R	CET	1822+	TO-251	9852	只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!	詢價(jià)
深圳市賽芯源科技有限公司	CED6060R	CET	18+	TO-251	41200	原裝正品,現(xiàn)貨特價(jià)	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	CED6060R	CET	2020+	TO-251	16800	絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢!?	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	CED6060R	CET	23+	原廠原包	19960	只做進(jìn)口原裝終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	CED6060R	C	23+	TO-251	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	CED6060R	臺(tái)產(chǎn)	23+	TO-251	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	CED6060R	C	22+	TO-251	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	CED6060R		臺(tái)灣產(chǎn)	TO-251	68900	原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	CED6060R	C	23+	TO-251	6000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)

更多CED6060R供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-26 15:36:00

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