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BFR183	文件：56.83 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector current from 2 mA to 30mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlow-noise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA ?fT=8GHz F=1.2dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BFR183	文件：80.14 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA ?fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR183	文件：78.48 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR183	文件：618.94 Kbytes Page：6 Pages	Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR183	文件：286.19 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN RF Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BFR183F	文件：52.9 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon RF Transistor NPNSiliconRFTransistor* ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom2mAto30mA ?fT=8GHz,F=0.9dBat900MHz *Shorttermdescription	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR183T	文件：68.7 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Planar RF Transistor Features ?Lownoisefigure ?Highpowergain Applications ??Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFR183T	文件：80.94 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor Preliminarydata ?Forlow-noise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA ?fT=8GHz F=1.2dBat900MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR183TF	文件：72.49 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Planar RF Transistor Description Themainpurposeofthisbipolartransistorisbroadbandamplificationupto2GHz.Inthespace-saving3-pinsurface-mountSOT490packageelectricalperformanceandreliabilityaretakentoanewlevelcoveringasmallerfootprintonPCboardsthanpreviouspackages.Inadditiontos	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFR183TW	文件：68.7 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Planar RF Transistor Features ?Lownoisefigure ?Highpowergain Applications ??Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFR183W	文件：56.33 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector current from 2 mA to 30mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlow-noise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA ?fT=8GHz F=1.2dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BFR183W	文件：79.84 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA ?fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackagewithvisibleleads ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR183_07	文件：78.48 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR183_14	文件：618.94 Kbytes Page：6 Pages	Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR183W	文件：140.84 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR183W	文件：672.73 Kbytes Page：6 Pages	Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR183W	文件：287.01 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN RF Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BFR183W_07	文件：140.84 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR183W_14	文件：672.73 Kbytes Page：6 Pages	Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR183WH6327XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：SC-70，SOT-323 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻描述：RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

晶體管資料

型號(hào)：
BFR183
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）_超高頻/特高頻（UHF）_寬頻帶
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
20V
最大電流允許值：
0.065A
最大工作頻率：
8GHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
BFR193,2SC3445,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
H-15
vtest：
20
htest：
8000000000
atest：
0.065
wtest：
0

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BFR183
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
NPN bipolar RF BFR183 8GHz

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BFR183	Infineon(英飛凌)	23+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	7348	原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號(hào)開票。	詢價(jià)
深圳市宇集芯電子有限公司	BFR183	Infineon/英飛凌	24+	SOT143	163000	一級(jí)代理保證進(jìn)口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價(jià)格合理	詢價(jià)
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更多BFR183供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-28 9:38:00

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