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BFR183W分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFR183W
廠商型號(hào)

BFR183W

參數(shù)屬性

BFR183W 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

功能描述

NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector current from 2 mA to 30mA)

文件大小

56.33 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Siemens Semiconductor Group
企業(yè)簡(jiǎn)稱

SIEMENS西門子

中文名稱

德國(guó)西門子股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-29 11:13:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    BFR183W

  • 別名:

    BFR183W三極管、BFR183W晶體管、BFR183W晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    表面帖裝型 (SMD)_超高頻/特高頻 (UHF)_寬頻帶

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    20V

  • 最大電流允許值:

    0.065A

  • 最大工作頻率:

    8GHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    2SC4593,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    H-15

  • vtest:

    20

  • htest:

    8000000000

  • atest:

    0.065

  • wtest:

    0

BFR183W規(guī)格書詳情

NPN Silicon RF Transistor

? For low-noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA

? fT = 8 GHz

F = 1.2 dB at 900 MHz

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BFR183WH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    8GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

  • 增益:

    18.5dB

  • 功率 - 最大值:

    450mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 15mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    65mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-SOT323

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
INFINEO
21+
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