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BFR180W

NPN Silicon RF Transistor (For low-power amplifiers in mobile communication systems pager at collector currents from 0.2mA to 2.5mA)

NPNSiliconRFTransistor ?Forlow-poweramplifiersinmobile communicationsystems(pager)atcollector currentsfrom0.2mAto2.5mA ?fT=7GHz F=2.1dBat900MHz

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BFR180W

NPN Silicon RF Transistor

NPNSiliconRFTransistor ?Forlow-poweramplifiersinmobile communicationsystems(pager)atcollector currentsfrom0.2mAto2.5mA ?fT=7GHz F=2.1dBat900MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFY180

HiRelNPNSiliconRFTransistor(HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductorForlowpoweramplifiersatcollectorcurrentsfrom0.2to2.5mA)

Features ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlowpoweramplifiersatcollectorcurrentsfrom0.2to2.5mA ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=6.5GHz,F=2.6dBat2GHz ?eesaqualified ?ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BFY180

HiRelNPNSiliconRFTransistor

HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlowpoweramplifiersatcollectorcurrentsfrom0,2mAto2,5mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=6,5GHzF=2.6dBat2GHz ?eesaSpaceQualifiedESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006TypeVariant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFY180ES

HiRelNPNSiliconRFTransistor

HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlowpoweramplifiersatcollectorcurrentsfrom0,2mAto2,5mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=6,5GHzF=2.6dBat2GHz ?eesaSpaceQualifiedESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006TypeVariant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFY180H

HiRelNPNSiliconRFTransistor

HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlowpoweramplifiersatcollectorcurrentsfrom0,2mAto2,5mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=6,5GHzF=2.6dBat2GHz ?eesaSpaceQualifiedESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006TypeVariant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFY180P

HiRelNPNSiliconRFTransistor

HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlowpoweramplifiersatcollectorcurrentsfrom0,2mAto2,5mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=6,5GHzF=2.6dBat2GHz ?eesaSpaceQualifiedESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006TypeVariant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFY180S

HiRelNPNSiliconRFTransistor

HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlowpoweramplifiersatcollectorcurrentsfrom0,2mAto2,5mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=6,5GHzF=2.6dBat2GHz ?eesaSpaceQualifiedESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006TypeVariant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BMA180

Digital,triaxialaccelerationsensor

boschBosch Sensortec GmbH

博世博世半導體

BMC180

Idealforuseinelectricvehicleschargingprotectionboards

CONQUER

Conquer Electronics Co., Ltd.

晶體管資料

  • 型號：

    BFR180W

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）_超高頻/特高頻 （UHF）_寬頻帶

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    15V

  • 最大電流允許值：

    0.004A

  • 最大工作頻率：

    4.4GHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-15

  • vtest：

    15

  • htest：

    4400000000

  • atest：

    0.004

  • wtest：

    0

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BFR180W

  • 制造商：

    INFINEON

  • 制造商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述：

    NPN Silicon RF Transistor

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
PHI
24+
SOT-323
18000
詢價
INFINEON
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
SMD
23+
NA
15659
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!
 詢價
VISHAY
23+
SOT-323
63000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
Infineon
23+
SOT323
3200
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售
 詢價
VISHAY/威世
23+
393000
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
 詢價
SIE
23+
SMD
5177
現(xiàn)貨
 詢價
INFINEON
23+
SOT-323
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價
INFINEON
23+
SOT-323
7000
詢價
ST
21+
LQFP32
23480
詢價
更多BFR180W供應商 更新時間2025-3-19 16:30:00

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