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BFR181

NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12mA)

NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz F=1.45dBat900MHz

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BFR181

NPN Silicon RF Transistor

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available

InfineonInfineon Technologies AG

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BFR181

NPN Silicon RF Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFR181

Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

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BFR181T

Silicon NPN Planar RF Transistor

Features ?Lownoisefigure ?Highpowergain Applications ??Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA.

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

BFR181T

NPN Silicon RF Transistor

NPNSiliconRFTransistor Preliminarydata ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz F=1.45dBat900MHz

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BFR181TF

Silicon NPN Planar RF Transistor

Description Themainpurposeofthisbipolartransistorisbroadbandamplificationupto2GHz.Inthespace-saving3-pinsurface-mountSOT-490packageelectricalperformanceandreliabilityaretakentoanewlevelcoveringasmallerfootprintonPCboardsthanpreviouspackages.Inadditionto

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

BFR181TW

Silicon NPN Planar RF Transistor

Features ?Lownoisefigure ?Highpowergain Applications ??Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA.

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

BFR181W

NPN Silicon RF Transistor )For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12mA)

NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz F=1.45dBat900MHz

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BFR181W

NPN Silicon RF Transistor

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz ?EasytousePb-free(RoHScompliant)andhalogenfreeindustrystandardpackagewithvisibleleads ?Qualificationreport

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BFR181_07

NPN Silicon RF Transistor

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BFR181_14

Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor

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BFR181W

NPN Silicon RF Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

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BFR181W

Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

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BFR181W_10

NPN Silicon RF Transistor

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BFR181W_14

Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor

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BFR181WH6327XTSA1

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

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晶體管資料

  • 型號:

    BFR181

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    表面帖裝型 (SMD)_超高頻/特高頻 (UHF)_寬頻帶

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    20V

  • 最大電流允許值:

    0.02A

  • 最大工作頻率:

    8GHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    2SC3585,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    H-15

  • vtest:

    20

  • htest:

    8000000000

  • atest:

    0.02

  • wtest:

    0

詳細參數(shù)

  • 型號:

    BFR181

  • 制造商:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    RF Transistor NPN 12V 20mA SOT23

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
23+
標準封裝
16948
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號開票。
詢價
INFLNEON
2019+
SOT-23
36000
原盒原包裝 可BOM配套
詢價
INFINEON/英飛凌
24+
SOT-23
163000
一級代理保證進口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價格合理
詢價
INFINEON/英飛凌
20+
SOT-23
120000
原裝正品 可含稅交易
詢價
INFINEON/英飛凌
24+
SOT23
159708
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價
INFINEON/英飛凌
24+
SOT23
7906200
一站配齊,原盒原包現(xiàn)貨原廠一手渠道聯(lián)系
詢價
INFINEON/英飛凌
23+
SOT-23
360000
專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量價格低
詢價
INFINEON
24+
SOT-23
21200
新進庫存/原裝
詢價
INFINEON
2016+
SOT23
6000
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
詢價
INFINEON
23+
SOT23
9365
價格優(yōu)勢、原裝現(xiàn)貨、客戶至上。歡迎廣大客戶來電查詢
詢價
更多BFR181供應(yīng)商 更新時間2024-12-28 9:38:00