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BFR181TW	文件：68.3 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Planar RF Transistor Features ?Lownoisefigure ?Highpowergain Applications ??Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFR181W	文件：56.04 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor)Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz F=1.45dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
BFR181W	文件：510.37 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR181W	文件：79.53 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz ?EasytousePb-free(RoHScompliant)andhalogenfreeindustrystandardpackagewithvisibleleads ?Qualificationreport	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR181W	文件：672.64 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY181	文件：121.95 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor(HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor) Features ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,highgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz,F=2.2dBat2GHz ?eesaqualified ?ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
BFY181	文件：29.15 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollector currentsfrom0,5mAto12mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz F=2.2dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailS	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY181	文件：148.75 Kbytes Page：4 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY181ES	文件：29.15 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollector currentsfrom0,5mAto12mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz F=2.2dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailS	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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BFY181P	文件：29.15 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollector currentsfrom0,5mAto12mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz F=2.2dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailS	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY181S	文件：29.15 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollector currentsfrom0,5mAto12mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz F=2.2dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailS	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BH181	文件：126.61 Kbytes Page：1 Pages	BATTERYHOLDERS&SNAPSAA,AAA,C,D&COINCELL	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亞當(dāng)科技亞當(dāng)科技股份有限公司	ADAM-TECH
BSM181	文件：199.83 Kbytes Page：7 Pages	SIMOPACModule(PowermoduleSingleswitchNchannelEnhancementmode) VDS=100V ID=200A RDS(on)=8.5m? ●Powermodule ●Singleswitch ●Nchannel ●Enhancementmode ●Packagewithinsulatedmetalbaseplate ●Packageoutline/Circuitdiagram:11)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
BSM181F	文件：226.26 Kbytes Page：7 Pages	SIMOPACModule(PowermoduleSingleswitchFREDFETNchannelEnhancementmode) VDS=800V ID=34A RDS(on)=0.32? ●Powermodule ●Singleswitch ●FREDFET ●Nchannel ●Enhancementmode ●Packagewithinsulatedmetalbaseplate ●Packageoutline/Circuitdiagram:11)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
BSM181R	文件：199.83 Kbytes Page：7 Pages	SIMOPACModule(PowermoduleSingleswitchNchannelEnhancementmode) VDS=100V ID=200A RDS(on)=8.5m? ●Powermodule ●Singleswitch ●Nchannel ●Enhancementmode ●Packagewithinsulatedmetalbaseplate ●Packageoutline/Circuitdiagram:11)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
C-181-K	文件：192.91 Kbytes Page：1 Pages	CoilsandChokesforgeneraluse	PREMOPREMO CORPORATION S.L 普萊默	PREMO
CA181	文件：374.36 Kbytes Page：2 Pages	CascadableAmplifier10to250MHz	MACOM Tyco Electronics	MACOM
CA181	文件：1.33235 Mbytes Page：2 Pages	CascadableAmplifier10to250MHz Description TheA181RFamplifierisadiscretehybriddesign,whichusesthinfilmmanufacturingprocessesforaccurateperformanceandhighreliability. Thissinglestagebipolartransistorfeedbackamplifierdesigndisplaysimpressiveperformanceoverabroadbandfrequencyrange.AnactiveDC	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
CA181	文件：636.23 Kbytes Page：3 Pages	CascadableAmplifier10to250MHz	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BFR181TW
制造商：
VISHAY
制造商全稱(chēng)：
Vishay Siliconix
功能描述：
Silicon NPN Planar RF Transistor

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市振宏微科技有限公司	BFR181TW	SOT-323	23+	NA	15659	振宏微專(zhuān)業(yè)只做正品,假一罰百!	詢(xún)價(jià)
深圳兆威電子有限公司	BFR181TW	VISHAY	23+	SOT-323	63000	原裝正品現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	BFR181TW	VISHAY	2023+	SOT-323	80000	一級(jí)代理/分銷(xiāo)渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢(xún)價(jià)
深圳芯力源電子科技有限公司	BFR181TW	VISHAY	23+	SMD	5177	現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
深圳誠(chéng)思涵科技有限公司	BFR181W	INFINEON	16+	SOT-323	10000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨/價(jià)格優(yōu)勢(shì)!	詢(xún)價(jià)
深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司	BFR181W	INFINEON	24+	SOT-323	43400	新進(jìn)庫(kù)存/原裝	詢(xún)價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	BFR181W	INFINEON	23+	SOT-323	7500	全新原裝優(yōu)勢(shì)	詢(xún)價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	BFR181W	SIEMENS	24+	原廠(chǎng)封裝	57000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	BFR181W	INFINEON	17+	SOT-323	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	BFR181W	ATMEL	23+	PLCC32	5000	原裝正品,假一罰十	詢(xún)價(jià)

更多BFR181TW供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-15 17:00:00

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