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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
BFR182W	文件：55.83 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 1mA to 20mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA ?fT=8GHzF=1.2dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BFR182W	文件：79.15 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA ?fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackagewithvisibleleads ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR182W	文件：517.63 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR182W	文件：672.28 Kbytes Page：6 Pages	Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR182W_10	文件：517.63 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR182W_14	文件：672.28 Kbytes Page：6 Pages	Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR182WH6327XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：SC-70，SOT-323 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻描述：RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY182	文件：121.88 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor(HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor) Features ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,highgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz,F=2.4dBat2GHz ?eesaqualified ?ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BFY182	文件：29.17 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz F=2.4dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY182	文件：148.58 Kbytes Page：4 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY182ES	文件：29.17 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz F=2.4dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY182H	文件：29.17 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz F=2.4dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY182P	文件：29.17 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz F=2.4dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY182S	文件：29.17 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz F=2.4dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BH182	文件：126.61 Kbytes Page：1 Pages	BATTERYHOLDERS&SNAPSAA,AAA,C,D&COINCELL	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亞當(dāng)科技亞當(dāng)科技股份有限公司	ADAM-TECH
BLF182XR	文件：1.32235 Mbytes Page：15 Pages	PowerLDMOStransistor Generaldescription A250WextremelyruggedLDMOSpowertransistorforbroadcastandindustrial applicationsintheHFto600MHzband. Featuresandbenefits ?Easypowercontrol ?IntegrateddoublesidedESDprotection ?Excellentruggedness ?Highefficiency ?Excellentthermalstabilit	AmpleonAmpleon USA Inc. 安譜隆	Ampleon
BLF182XRS	文件：1.32235 Mbytes Page：15 Pages	PowerLDMOStransistor Generaldescription A250WextremelyruggedLDMOSpowertransistorforbroadcastandindustrial applicationsintheHFto600MHzband. Featuresandbenefits ?Easypowercontrol ?IntegrateddoublesidedESDprotection ?Excellentruggedness ?Highefficiency ?Excellentthermalstabilit	AmpleonAmpleon USA Inc. 安譜隆	Ampleon
BTS-EL182S	文件：5.42821 Mbytes Page：7 Pages	GuardsagainstaccidentaldisconnectionofComputers,PDU’s,ServersandmostNetworkDevices.	BURLAND Burland Technology Solutions	BURLAND
C-182-K	文件：192.91 Kbytes Page：1 Pages	CoilsandChokesforgeneraluse	PREMOPREMO CORPORATION S.L 普萊默	PREMO
CM182	文件：222.75 Kbytes Page：1 Pages	B-6DoubleContactBayonetBase B-6DoubleContactBayonetBase&G-2MidgetScrewBase&G-31/2MiniatureBayonetBase	CML Chicago Miniature Lamp,inc	CML

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晶體管資料

型號(hào)：
BFR182W
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）_超高頻/特高頻（UHF）_寬頻帶
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
20V
最大電流允許值：
0.035A
最大工作頻率：
8GHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
H-15
vtest：
20
htest：
8000000000
atest：
0.035
wtest：
0

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BFR182W
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
RF TRANSISTOR SOT-323

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市宇集芯電子有限公司	BFR182W	INFINEON/英飛凌	24+	SOT-323	163000	一級(jí)代理保證進(jìn)口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價(jià)格合理	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	BFR182W	Infineon(英飛凌)	23+	N/A	12000	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	BFR182W	INFINEON	2024+	N/A	70000	柒號(hào)只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢價(jià)
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更多BFR182W供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-27 15:10:00

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