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APT50GP60B2DQ2G

POWER MOS 7 IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

APT50GP60B2DQ2G

Package:TO-247-3 變式;包裝:托盤 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 150A 625W TMAX

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT50GP60B2DQ2

POWERMOS7IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    APT50GP60B2DQ2G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    POWER MOS 7?

  • 包裝:

    托盤

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,50A

  • 開關(guān)能量:

    465μJ(開),635μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    19ns/85ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,50A,4.3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3 變式

  • 描述:

    IGBT 600V 150A 625W TMAX

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多APT50GP60B2DQ2G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-20 14:04:00