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APT75GN120B2G

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT75GN120B2G

IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

APT75GN120B2G

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT75GN120B2G

Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT75GN120B2G

Package：TO-247-3 變式；包裝：托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 200A 833W TMAX

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT75GN120B2

IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    APT75GN120B2G

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    托盤

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，75A

  • 開關(guān)能量：

    8045μJ（開），7640μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    60ns/620ns

  • 測試條件：

    800V，75A，1 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3 變式

  • 描述：

    IGBT 1200V 200A 833W TMAX

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MICROSEMI
638
原裝正品
 詢價
Microch
20+
NA
33560
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
 詢價
APT
24+
TO-247
2050
公司大量全新原裝 正品 隨時可以發(fā)貨
 詢價
NXP/恩智浦
23+
SOT-363
69820
終端可以免費供樣,支持BOM配單!
 詢價
Microsemi
1942+
N/A
908
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 詢價
ADPOW
23+
原廠原包
19960
只做進口原裝 終端工廠免費送樣
 詢價
MICROSEMI
1809+
SMD
326
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
 詢價
APT
23+
T-MAX
10000
公司只做原裝正品
 詢價
Microsemi Corporation
22+
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
Microsemi Corporation
21+
13880
公司只售原裝,支持實單
 詢價
更多APT75GN120B2G供應(yīng)商 更新時間2025-2-6 9:04:00

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