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APT85GR120B2

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT85GR120B2

Power Semiconductors Power Modules

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APT85GR120B2

包裝:管件 封裝/外殼:TO-247-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1200V 170A 962W TO247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    APT85GR120B2

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3.2V @ 15V,85A

  • 開關(guān)能量:

    6mJ(開),3.8mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    43ns/300ns

  • 測試條件:

    600V,85A,4.3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    T-MAX?

  • 描述:

    IGBT 1200V 170A 962W TO247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Microchip Technology
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更多APT85GR120B2供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-30 18:15:00