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APT60N60BCSG	文件：401.12 Kbytes Page：5 Pages	Super Junction MOSFET	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT60N60BCSG	文件：224.86 Kbytes Page：5 Pages	Super Junction MOSFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT60N60SCS	文件：401.12 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT60N60SCS	文件：224.86 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT60N60SCSG	文件：401.12 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT60N60SCSG	文件：224.86 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
DAM60N60F	文件：261.81 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
FGA60N60UFD	文件：782.61 Kbytes Page：9 Pages	600V,60AFieldStopIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGA60N60UFDTU	文件：782.61 Kbytes Page：9 Pages	600V,60AFieldStopIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGH60N60	文件：488.41 Kbytes Page：11 Pages	IGBT-FieldStop600V,60A Description UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,ONSemiconductor’snew seriesoffieldstop2ndgenerationIGBTsoffertheoptimum performanceforsolarinverter,UPS,welder,telecom,ESSandPFC applicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features ?Maximum	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
FGH60N60SF	文件：647.84 Kbytes Page：8 Pages	600V,60AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingNovelFieldStopIGBTTechnology,Fairchild’snewseriesofFieldStopIGBTsoffertheoptimumperformanceforInductionHeating,UPS,SMPSandPFCapplicationswherelowconduc tionandswitchinglossesareessential. Features ?Highcurrentcapability ?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGH60N60SFD	文件：768.21 Kbytes Page：9 Pages	600V,60AFieldStopIGBT UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild’sfieldstopGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter,UPS,welderandPFCapplicationswherelowconductionandswitchnglossesareessential.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGH60N60SFDTU	文件：355.97 Kbytes Page：3 Pages	Field-StopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.9V@IC=60A ·HighSpeedSwitching ·LowPowerLoss APPLICATIONS ·SolarConverters ·WeldingConverters ·PFC ·UPS	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FGH60N60SFDTU	文件：418.02 Kbytes Page：9 Pages	600V,60AFieldStopIGBT Features ?HighCurrentCapability ?LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.3V@IC=60A ?HighInputImpedance ?FastSwitching ?RoHSCompliant GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild’sfieldstop IGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter,UP	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGH60N60SFDTU	文件：768.21 Kbytes Page：9 Pages	600V,60AFieldStopIGBT UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild’sfieldstopGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter,UPS,welderandPFCapplicationswherelowconductionandswitchnglossesareessential.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGH60N60SFTU	文件：647.84 Kbytes Page：8 Pages	600V,60AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingNovelFieldStopIGBTTechnology,Fairchild’snewseriesofFieldStopIGBTsoffertheoptimumperformanceforInductionHeating,UPS,SMPSandPFCapplicationswherelowconduc tionandswitchinglossesareessential. Features ?Highcurrentcapability ?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGH60N60SMD	文件：397.27 Kbytes Page：10 Pages	600V,60AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingNovelFieldStopIGBTTechnology,Fairchild’snewseriesofFieldStopIGBTsoffertheoptimumperformanceforSolarInverter,UPS,SMPS,IHandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features ?MaximumJunctionTemperature:	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGH60N60SMD	文件：488.41 Kbytes Page：11 Pages	IGBT-FieldStop600V,60A Description UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,ONSemiconductor’snew seriesoffieldstop2ndgenerationIGBTsoffertheoptimum performanceforsolarinverter,UPS,welder,telecom,ESSandPFC applicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features ?Maximum	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
FGH60N60UFD	文件：369.33 Kbytes Page：3 Pages	FieldStopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.4V@IC=60A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·InductionHeating,UPS ·AC&DCmotorcontrolsandgeneralpurposeinverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FGH60N60UFD	文件：767.23 Kbytes Page：9 Pages	600V,60AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingNovelFieldStopIGBTTechnology,Fairchild’snewseriesofFieldStopIGBTsoffertheoptimumperformanceforInductionHeating,UPS,SMPSandPFCapplicationswherelowconduc tionandswitchinglossesareessential. Features ?Highcurrentcapability ?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild

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詳細參數(shù)

型號：
APT60N60BCSG
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
RoHS：
是
類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
-
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應商設備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多APT60N60BCSG供應商更新時間2024-10-30 18:15:00

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