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APT68GA60B2D40

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT68GA60B2D40

Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT68GA60B2D40

包裝:管件 封裝/外殼:TO-247-3 變式 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 121A 520W TO-247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    APT68GA60B2D40

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    POWER MOS 8?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,40A

  • 開關(guān)能量:

    715μJ(開),607μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    21ns/133ns

  • 測試條件:

    400V,40A,4.7 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3 變式

  • 描述:

    IGBT 600V 121A 520W TO-247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
MICROSEMI
638
原裝正品
詢價(jià)
Microch
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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TO-247
10000
公司只做原裝正品
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13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
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22+
3
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只做原裝,有掛就有貨。
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Microsemi Corporation
23+
9000
原裝正品,支持實(shí)單
詢價(jià)
更多APT68GA60B2D40供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-30 15:00:00