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IMT65R039M1H

Marking：65R039M1；Package：PG-HSOF-8；MOSFET 650 V CoolSiCa M1 SiC Trench Power Device

Features ?Optimizedswitchingbehaviorathighercurrents ?CommutationrobustfastbodydiodewithlowQf ?Superiorgateoxidereliability ?Tj,max=175°Candexcellentthermalbehavior ?LowerRDS(on)andpulsecurrentdependencyontemperature ?Increasedavalanchecapability ?Compatib

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMBG65R039M1H

Marking：65R039M1；Package：PG-TO263-7-12；650 V CoolSiC? M1 SiC Trench Power Device

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMW65R039M1H

Marking：65R039M1；Package：PG-TO247-3；650 V CoolSiC? M1 SiC Trench Power Device

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMZA65R039M1H

Marking：65R039M1；Package：PG-TO247-4-3；650 V CoolSiC? M1 SiC Trench Power Device

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
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25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
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只做原裝現(xiàn)貨
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更多65R039M1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-9 14:00:00

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