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IMW65R039M1H

650 V CoolSiC? M1 SiC Trench Power Device

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMBG65R039M1H

650VCoolSiC?M1SiCTrenchPowerDevice

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMT65R039M1H

MOSFET650VCoolSiCaM1SiCTrenchPowerDevice

Features ?Optimizedswitchingbehaviorathighercurrents ?CommutationrobustfastbodydiodewithlowQf ?Superiorgateoxidereliability ?Tj,max=175°Candexcellentthermalbehavior ?LowerRDS(on)andpulsecurrentdependencyontemperature ?Increasedavalanchecapability ?Compatib

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650VCoolSiC?M1SiCTrenchPowerDevice

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Infineon/鑻遍鍑?137
瀹炲崟璇風數(shù)璇濊仈緋?189234603
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C23-電容器
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更多IMW65R039M1H供應商 更新時間2024-12-26 16:05:00

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