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IMBG65R039M1H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

IMBG65R039M1H
廠商型號

IMBG65R039M1H

參數(shù)屬性

IMBG65R039M1H 包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

功能描述

650 V CoolSiC? M1 SiC Trench Power Device
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

文件大小

1.58276 Mbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-2 23:00:00

IMBG65R039M1H規(guī)格書詳情

IMBG65R039M1H屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IMBG65R039M1H晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IMBG65R039M1HXTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 描述:

    SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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