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STGWT60H65F分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGWT60H65F
廠商型號

STGWT60H65F
參數(shù)屬性

STGWT60H65F 封裝/外殼為TO-3P-3，SC-65-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
功能描述

60 A, 650 V field stop trench gate IGBT
IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
絲印標識

G60H65F
封裝外殼

TO-3P / TO-3P-3，SC-65-3
文件大小

1.51865 Mbytes
頁面數(shù)量

14 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-29 23:00:00

STGWT60H65F規(guī)格書詳情

STGWT60H65F屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的STGWT60H65F晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Features

■ High speed switching

■ Tight parameter distribution

■ Safe paralleling

■ Low thermal resistance

■ 6 μs short-circuit withstand time

■ Lead free package

Applications

■ Photovoltaic inverters

■ Uninterruptible power supply

■ Welding

■ Power factor correction

■ High switching frequency converters

Description

Using advanced proprietary trench gate and field

stop structure, this IGBT leads to an optimized

compromise between conduction and switching

losses maximizing the efficiency for high

switching frequency converters. Furthermore, a

slightly positive VCE(sat) temperature coefficient

and a very tight parameter distribution result in an

easier paralleling operation.

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    STGWT60H65FB

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，60A

  • 開關(guān)能量：

    1.09mJ（開），626μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    51ns/160ns

  • 測試條件：

    400V，60A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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