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STGWT38IH130D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGWT38IH130D
廠商型號(hào)

STGWT38IH130D

參數(shù)屬性

STGWT38IH130D 封裝/外殼為TO-3P-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1300V 63A 250W TO3P

功能描述

33 A - 1300 V - very fast IGBT
IGBT 1300V 63A 250W TO3P

封裝外殼

TO-3P-3 整包

文件大小

822.27 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

17 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-21 19:02:00

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STGWT38IH130D規(guī)格書詳情

STGWT38IH130D屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGWT38IH130D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Description

This device is a very fast IGBT developed using advanced PowerMESH? technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. This device is well-suited for resonant or soft-switching applications.

Features

■ Low saturation voltage

■ High current capability

■ Low switching loss

■ Low static and peak forward voltage drop free

wheeling diode

Applications

■ Induction cooking, microwave ovens

■ Soft-switching applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    STGWT38IH130D

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    3.4mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    -/284ns

  • 測(cè)試條件:

    960V,20A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 1300V 63A 250W TO3P

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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12+
TO-247
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