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STGWT30H60DFB分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGWT30H60DFB
廠商型號

STGWT30H60DFB

參數(shù)屬性

STGWT30H60DFB 封裝/外殼為TO-3P-3,SC-65-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 60A 260W TO3PL

功能描述

Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
IGBT 600V 60A 260W TO3PL

絲印標識

GWT30H60DFB

封裝外殼

TO-3P / TO-3P-3,SC-65-3

文件大小

1.43779 Mbytes

頁面數(shù)量

20

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-21 19:36:00

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STGWT30H60DFB規(guī)格書詳情

STGWT30H60DFB屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的STGWT30H60DFB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

Description

These devices are IGBTs developed using an

advanced proprietary trench gate field-stop

structure. These devices are part of the new HB

series of IGBTs, which represent an optimum

compromise between conduction and switching

loss to maximize the efficiency of any frequency

converter. Furthermore, the slightly positive

VCE(sat) temperature coefficient and very tight

parameter distribution result in safer paralleling

operation.

Features

? Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

? High speed switching series

? Minimized tail current

? VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A

? Tight parameters distribution

? Safe paralleling

? Low thermal resistance

? Very fast soft recovery antiparallel diode

Applications

? Photovoltaic inverters

? High frequency converters

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STGWT30H60DFB

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,30A

  • 開關能量:

    383μJ(開),293μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    37ns/146ns

  • 測試條件:

    400V,30A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 600V 60A 260W TO3PL

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
2023
TO-3P
6000
公司原裝現(xiàn)貨/支持實單
詢價
ST/意法半導體
21+
TO-3P
8860
只做原裝,質(zhì)量保證
詢價
ST
1641
N/A
70
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
STMicroelectronics
24+
TO-3P-3,SC-65-3
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
詢價
ST
24+
TO-3P
30000
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十!
詢價
ST/意法半導體
22+
TO-3P
10000
只有原裝,原裝,假一罰十
詢價
ST
21+
TO-3P
10000
全新原裝現(xiàn)貨
詢價
ST
23+
TO-3P
10000
正規(guī)渠道,只有原裝!
詢價
ST
2023+
TO-3P
6000
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成
詢價
ST
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
詢價