首頁>STGWA60H65DFB>規(guī)格書詳情

STGWA60H65DFB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGWA60H65DFB
廠商型號

STGWA60H65DFB

參數(shù)屬性

STGWA60H65DFB 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT BIPO 650V 60A TO247-3

功能描述

Low thermal resistance
IGBT BIPO 650V 60A TO247-3

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

1.57984 Mbytes

頁面數(shù)量

19

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-21 19:36:00

人工找貨

STGWA60H65DFB價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨

STGWA60H65DFB規(guī)格書詳情

STGWA60H65DFB屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGWA60H65DFB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STGWA60H65DFB

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,60A

  • 開關(guān)能量:

    1.59mJ(開),900μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    66ns/210ns

  • 測試條件:

    400V,60A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT BIPO 650V 60A TO247-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST
2023
TO247-3
5200
公司原裝現(xiàn)貨/支持實(shí)單
詢價(jià)
ST/意法
24+
TO247-3
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
ST
21+
TO247-3
10000
只做原裝,質(zhì)量保證
詢價(jià)
ST
1818+
TO-247
6
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
ST/意法
24+
標(biāo)準(zhǔn)
34750
熱賣原裝進(jìn)口
詢價(jià)
ST(意法半導(dǎo)體)
23+
TO2473
6000
誠信服務(wù),絕對原裝原盤
詢價(jià)
ST
NA
16355
一級代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨
詢價(jià)
ST
22+
NA
10000
原裝正品支持實(shí)單
詢價(jià)
ST
24+
TO247-3
30000
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十!
詢價(jià)
ST
22+
TO247-3
9000
只有原裝,原裝,假一罰十
詢價(jià)