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STGD3NC120H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGD3NC120H
廠商型號

STGD3NC120H

參數(shù)屬性

STGD3NC120H 封裝/外殼為TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 16A IPAK

功能描述

7 A, 1200 V very fast IGBT
IGBT 1200V 16A IPAK

封裝外殼

TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

文件大小

899.15 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-29 9:30:00

STGD3NC120H規(guī)格書詳情

STGD3NC120H屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGD3NC120H晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Features

■ High voltage capability

■ High speed

Applications

■ Home appliance

■ Lighting

Description

This device is a very fast IGBT developed using

advanced PowerMESH? technology. This

process guarantees an excellent trade-off

between switching performance and low on-state

behavior. This device is well-suited for resonant or

soft-switching applications.

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STGD3NC120H-1

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,3A

  • 開關(guān)能量:

    236μJ(開),290μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    15ns/118ns

  • 測試條件:

    800V,3A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    IPAK(TO-251)

  • 描述:

    IGBT 1200V 16A IPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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