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STGD3NB60SD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGD3NB60SD
廠商型號

STGD3NB60SD

參數(shù)屬性

STGD3NB60SD 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 6A 48W DPAK

功能描述

N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT
IGBT 600V 6A 48W DPAK

文件大小

322.75 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-12-28 9:30:00

STGD3NB60SD規(guī)格書詳情

STGD3NB60SD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的STGD3NB60SD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

DESCRIPTION

Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH? IGBTs, with outstanding performances. The suffix “S” identifies a family optimized to achieve minimum on-voltage drop for low frequency applications (<1kHz).

■ HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE

DRIVEN)

■ VERY LOW ON-VOLTAGE DROP (Vcesat)

■ HIGH CURRENT CAPABILITY

■ INTEGRATED WHEELING DIODE

■ OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT

APPLICATIONS

■ MOTOR CONTROL

■ GAS DISCHARGE LAMP

■ STATIC RELAYS

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STGD3NB60SDT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.5V @ 15V,3A

  • 開關(guān)能量:

    1.15mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    125μs/-

  • 測試條件:

    480V,3A,1 千歐,15V

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    IGBT 600V 6A 48W DPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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