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STGD20N40LZ分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
STGD20N40LZ |
參數(shù)屬性 | STGD20N40LZ 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 390V 25A 125W DPAK |
功能描述 | Low saturation voltage |
文件大小 |
1.14213 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
20 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-12-28 23:00:00 |
STGD20N40LZ規(guī)格書詳情
STGD20N40LZ屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGD20N40LZ晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
STGD20N40LZ
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
Automotive, AEC-Q101, PowerMESH?
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
1.6V @ 4V,6A
- 輸入類型:
邏輯
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
700ns/4.3μs
- 測試條件:
300V,10A,1 千歐,5V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝:
DPAK
- 描述:
IGBT 390V 25A 125W DPAK
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價 | ||
ST |
21+ |
DPAK |
2630 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
ST |
22+ |
NA |
15000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價 | ||
ST |
原廠原封 |
93480 |
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詢價 | |||
ST |
589220 |
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詢價 | ||||
ST/意法 |
2022 |
TO-252 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價 | ||
STMicroelectronics |
23+ |
IGBT |
5864 |
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詢價 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
25500 |
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ST |
2021+ |
SMD |
100500 |
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STMicroelectronics |
2022+ |
原廠原包裝 |
6800 |
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詢價 |