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STGD3NB60F分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料
廠商型號(hào) |
STGD3NB60F |
參數(shù)屬性 | STGD3NB60F 封裝/外殼為T(mén)O-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 6A 60W DPAK |
功能描述 | N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK PowerMESH??IGBT |
封裝外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 |
文件大小 |
732.07 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
14 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-6 11:54:00 |
STGD3NB60F規(guī)格書(shū)詳情
STGD3NB60F屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGD3NB60F晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH? IGBTs, with outstanding performances. The suffix “F” identifies a family optimized to achieve very low switching times for frequency applications (
■ HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN)
■ LOW ON-VOLTAGE DROP (Vcesat)
■ LOW GATE CHARGE
■ HIGH CURRENT CAPABILITY
■ OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
■ HIGH FREQUENCY OPERATION
■ SHORT CIRCUIT RATED
APPLICATIONS
■ MOTOR CONTROLS
■ SMPS AND PFC IN BOTH HARD SWITCHING AND RESONANT TOPOLOGIES
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
STGD3NB60FT4
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
PowerMESH?
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,3A
- 開(kāi)關(guān)能量:
125μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
12.5ns/105ns
- 測(cè)試條件:
480V,3A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝:
DPAK
- 描述:
IGBT 600V 6A 60W DPAK
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
TO-220 |
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