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STGD20N45LZAG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGD20N45LZAG
廠商型號(hào)

STGD20N45LZAG

參數(shù)屬性

STGD20N45LZAG 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:POWER TRANSISTORS

功能描述

Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
POWER TRANSISTORS

絲印標(biāo)識(shí)

GB20N45LZ

封裝外殼

DPAK / TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

536.15 Kbytes

頁面數(shù)量

20

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-20 23:00:00

STGD20N45LZAG規(guī)格書詳情

STGD20N45LZAG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGD20N45LZAG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    STGD20N45LZAG

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.25V @ 4V,6A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    1.1μs/4.6μs

  • 測(cè)試條件:

    300V,10A,1 千歐,5V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D-PAK(TO-252)

  • 描述:

    POWER TRANSISTORS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST(意法)
23+
NA/
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