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STGB8NC60KDT4

600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGD8NC60KDT4

600V-8A-shortcircuitruggedIGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    STGB8NC60KDT4

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

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更多STGB8NC60KDT4供應(yīng)商 更新時間2025-1-6 14:04:00